你还在纠结32GB还是64GB内存:单条1TB DDR6已经公布!

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快科技10月22日消息,美光在2026年OCP峰会上公布了下一代存储技术路线图,涉及DDR6、LPDDR6、HBM与G11 NAND四条产品线。 其中DDR6被定位为面向高可靠性服务器市场,美光称其带宽将达到DDR5的两倍以上,并计划推出单条容量1TB的RDIMM。 作为参照,当前DDR5 RDIMM的单条容量上限为512GB,同样来自美光,频率9200MT/s,采用垂直互联封装与TSV硅通孔技术

快科技10月22日消息,美光在2026年OCP峰会上公布了下一代存储技术路线图,涉及DDR6、LPDDR6、HBM与G11 NAND四条产品线。 其中DDR6被定位为面向高可靠性服务器市场,美光称其带宽将达到DDR5的两倍以上,并计划推出单条容量1TB的RDIMM。 作为参照,当前DDR5 RDIMM的单条容量上限为512GB,同样来自美光,频率9200MT/s,采用垂直互联封装与TSV硅通孔技术,若DDR6按计划落地,单条容量将翻一倍。 目前单条1TB仍是路线图目标,支撑它的是1δ(1-Delta)DRAM工艺节点,该节点位密度较上一代提升约20%-25%,计划2027年下半年在美国进入量产爬坡。首批DDR6产品预计2027年面市,服务器与数据中心优先。 架构选择上,美光与另外两家主要厂商出现分歧,美光表示将坚持6F²单元架构,不转入4F²,理由是经过二十余年研究,认为4F²不存在可靠的缩放路径。 而长鑫预计年底推出基于4F²架构的DDR5产品,首发面向服务器与数据中心;三星计划2028年投产4F²,搭配其首个10nm以下工艺。 其他产品方面,LPDDR6能效较LPDDR5提升35%以上,兼顾数据中心与移动设备;G11 NAND采用双晶圆键合,堆叠层数超过400层,计划2027年下半年量产爬坡;vHBM首代产品预计2028年推出,2030年演进至vHBM3。 需要说明的是,美光此次公布的带宽、容量与能效数据均为路线图阶段的目标值,实际规格尚待标准定案与客户平台验证,DDR6的具体规范,以及消费级产品的上市时间,美光未在本次会议上给出。 特别

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